| Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数 |
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| 引用本文： | 陆卫,刘普霖,沈学础,MvonOrtenberg.Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数[J].物理学报,1995,44(4):666-672. |
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| 作者姓名： | 陆卫 刘普霖 沈学础 MvonOrtenberg |
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| 作者单位： | (1)HumboldtUniversityofBerlin,D-1040Berlin,F.R.Germany; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083; (3)中国科学院红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海200083复旦大学李政道物理学综合实验室,上海200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;;德国洪堡基金资助的课题 |
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| 摘 要： | 给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。
关键词：
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| 关 键 词： | 半导体 磁场 红外介电函数 |
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