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| InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频 | |
| 作者姓名： | 曲林杰 |
| 作者单位： | 天津大学精密仪罢工程系,天津300072 |
| 摘 要： | 对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为～200—300ps.关键词： |
| 关 键 词： | InGaAsP 半导体激光器 近简并四波混频 |
| 收稿时间： | 1993-11-19 |
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