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| 移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟 | |
| 引用本文： | 严北平,刘家璐,张廷庆,王朝东,郎维和,张宝峰.移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟[J].物理学报,1995,44(3):439-445. |
| 作者姓名： | 严北平 刘家璐 张廷庆 王朝东 郎维和 张宝峰 |
| 作者单位： | (1)电子工业部第11研究所,北京100015; (2)西安电子科技大学微电子学研究所,西安710071 |
| 摘 要： | 提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段,生成晶体的组分是不均匀的,其长度与生长条件如熔区长度、加热器移动速度、温场分布等因素有关,在初始阶段过后,生成晶体的组分接近多晶料的组分.
关键词： |
| 关 键 词： | 碲镉汞晶体 移动加热器法 晶体生长 数值模拟 |
| 收稿时间： | 1994-02-25 |
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