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| 两维方格形复合介质中导电性的渗流临界指数 | |
| 作者姓名： | 包科达 尹光俊 |
| 作者单位： | 北京大学物理系,北京100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 在方格形、圆形和四边星形复合介质导电性的严格数值解基础上,分析和研究了这三种几何形态在渗流阈值附近的导电特性,并求得了它们的导电临界指数,分别为0.356,0.675和0.209.它们不仅在数值上较之分立网络系统的导电临界指数有相当大的差别,而且没有普适性.建议用文中的(3)和(12)式概括两元性和非两元性复合材料的有效电导率.引进了作为复合介质微结构函数的幂指数m,并证明临界指数等于临界幂指数的倒数,它的数值完全由复合介质的几何形态所决定.关键词： |
| 关 键 词： | 方格形 复合介质 导电性 渗流临界指数 二维 |
| 收稿时间： | 1993-03-25 |
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