| 银包套Bi(2223)带材临界电流密度的低温强磁场特性 |
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| 作者姓名： | 韩谷昌 韩汉民 王智河 王顺喜 刘小宁 刘智民 奚正平 周廉 |
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| 作者单位： | (1)西北有色金属研究院,宝鸡721014; (2)中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031 |
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| 基金项目： | 国家超导技术联合研究开发中心资助的课题. |
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| 摘 要： | 较详细地研究了银包套Bi(2223)带材在低温强磁场下的传输临界电流密度(J_c)特性,实验结果表明,Bi(2223)带材在一定的磁场下J_c随温度的变化有两个不同的区域,在低于某一温度T_(cm)(H)后,J_c(T)由零开始按J_c∞(I-T/T_cm)~(?)指数形式增加而温度远低于T_(cm)后,J_c(T)则随温度的降低线性增加,J_c(T)的线性关系可由传统磁通蠕动理论理解,而在T_(cm)附近的J_c(T)指数变化机制仍不清楚,本文采用点阵熔化概念和磁场引起的颗粒超导电性对这一结果进行了很好关键词：
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| 关 键 词： | 铋系 超导体 临界电流密度 低温磁性能 |
| 收稿时间： | 1994-06-07 |
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