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| 非破坏性研究半导体材料特性参数 | |
| 引用本文： | 沈.非破坏性研究半导体材料特性参数[J].物理学报,1995,44(8):1344-1352. |
| 作者姓名： | 沈 |
| 作者单位： | (1)厦门大学物理系,厦门361005; (2)厦门集美航海学院,厦门361021 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题 |
| 摘 要： | 测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致.
关键词： |
| 关 键 词： | 半导体材料 无损研究 特性参数 |
| 收稿时间： | 1994-03-29 |
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