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| 发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析 | |
| 引用本文： | 季振国,陈立登,马向阳,姚鸿年,阙端麟.发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析[J].物理学报,1995,44(1):57-63. |
| 作者姓名： | 季振国 陈立登 马向阳 姚鸿年 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.
关键词： |
| 关 键 词： | 发光多孔硅 X射线 光电子能谱 深度剖析 |
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