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| GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器及其I—V特性的研究 | |
| 引用本文： | 刘延祥,夏冠群,唐绍裘,程宗权.GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器及其I—V特性的研究[J].红外,2004(5):1-4. |
| 作者姓名： | 刘延祥 夏冠群 唐绍裘 程宗权 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;湖南大学材料科学与工程学院,湖南,410082 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 3. 湖南大学材料科学与工程学院,湖南,410082 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(No.60176011) |
| 摘 要： | 本文简单介绍了GaInAsSb／GaSb PIN探测器的结构及工作原理，重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器I—V反向偏软的特性的方法。 |
| 关 键 词： | 红外探测器 I-V特性 镓铟砷锑材料 锑化镓材料 禁带宽度 |
Study of a GaInAsSb/GaSb Photodetctor and Its I-V Properties |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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