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氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究
引用本文:徐洮,薛群基,田军.氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究[J].摩擦学学报,1999,19(4):289-293.
作者姓名:徐洮  薛群基  田军
作者单位:中国科学院,兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000
基金项目:中国科学院资助项目,59702001,
摘    要:利用氮离子注入技术改善SiO2昌表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单昌在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理,研究结果表明,经过1*10^17N^+/剂量的氮离子注入后,SiO2单昌表面的耐磨性能比注入前提高了近4个数量级,氮离子注入使SiO2单晶表层形成SiO2微晶态与非晶态共存混合态结构,其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力,从而使SiO2单晶的抗磨性能得到

关 键 词:氮离子注入  SiO2单晶  磨损机理

Investigation of the Wear Mechanism of N+Ion Implanted Single-crystal SiO2 by SEM
XU Tao,XUE Qun-ji,TIAN Jun.Investigation of the Wear Mechanism of N+Ion Implanted Single-crystal SiO2 by SEM[J].Tribology,1999,19(4):289-293.
Authors:XU Tao  XUE Qun-ji  TIAN Jun
Abstract:
Keywords:SEM
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