| 水热法生长的Co、Sn共掺杂ZnO晶体厚膜的顺磁性 |
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| 引用本文： | 韦志仁,马玲鸾,段光杰,韩伟超,刘清波,强勇,高平,张晓军.水热法生长的Co、Sn共掺杂ZnO晶体厚膜的顺磁性[J].人工晶体学报,2012(Z1):316-320. |
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| 作者姓名： | 韦志仁 马玲鸾 段光杰 韩伟超 刘清波 强勇 高平 张晓军 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室;保定学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50472037,50672020,50772027) |
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| 摘 要： | 采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶(0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显示Co和Zn元素的相对含量为7.47∶92.53。电学测量晶体膜层为n型导电类型,载流子浓度1.15×1020cm-3,电阻率1.94×10-3Ω.cm,迁移率27.8 cm2/V.s,SQUID测量表明厚膜为顺磁性。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 氧化锌 水热法 掺杂 晶体 |
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