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四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨
引用本文:杨丽萍,万飞,杨思川,黄歆.四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨[J].压电与声光,2014,36(1):27-31.
作者姓名:杨丽萍  万飞  杨思川  黄歆
作者单位:北京中科飞鸿科技有限公司,北京 100095
摘    要:该文采用四硼酸锂晶片制作了高频(1.1GHz)声表面波滤波器,插入损耗3.7dB,带宽3.8 MHz,带外抑制大于50dB。阐述了器件的设计及工艺过程,对晶片表面处理、器件制作、SiO2保护膜、器件的温度特性等进行了实验分析,并讨论了在器件设计中需考虑的因素。实验结果表明,采用干法刻蚀工艺能获得良好的叉指电极形貌。在器件表面加镀SiO2保护膜能提高器件可靠性及温度稳定性。

关 键 词:四硼酸锂  声表面波滤波器  干法刻蚀  SiO2  温度特性

Discussion on Application of LBO for High frequency and Narrow band Filters
YANG Liping,WAN Fei,YANG Sichuan and HUANG Xin.Discussion on Application of LBO for High frequency and Narrow band Filters[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(1):27-31.
Authors:YANG Liping  WAN Fei  YANG Sichuan and HUANG Xin
Institution:Beijing Zhongke Feihong Science & Technology Co.,LTD,Beijing 100095,China
Abstract:
Keywords:
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