用激光辐照技术控制硅片的少数载流子寿命

激光辐照技术是近年来广泛用于半导体工艺中的一种行之有效的技术,已在离子注入的退火、形成硅化物和欧姆接触等方面取得了令人满意的效果。本文叙述用连续式CO_2激光器,在不同的时间内,对MO S结构进行辐照,根据c—v和c—t技术测量照射前后硅片的少数载流子寿命和氧化层中的固定电荷,实验结果表明:照射后硅片的少数载流子寿命明显降低,固定电荷增加。最后对少数载流子寿命降低的原因作了较为详细的讨论。