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低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器IP—MOCVD生长
引用本文:陈博,王圩.低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器IP—MOCVD生长[J].半导体学报,1998,19(3):218-220.
作者姓名:陈博  王圩
摘    要:

关 键 词:DFB激光器  LP-MOCVD  量子阱  生长技术
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