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| S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究 | |
| 作者姓名： | 胡海天 丁训民 袁泽亮 李哲深 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量，表明稳定的钝化同表面Ｇａ－Ｓ键的存在联系在一起 |
| 关 键 词： | 砷化镓 SRPES 钝化 |
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