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| 分子束外延生长GaN薄膜的新方法 | |
| 作者姓名： | 贺仲卿 丁训民 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室(贺仲卿，丁训民)，复旦大学应用表面物理国家重点实验室(王迅) |
| 摘 要： | GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解决了p型掺杂的困难,从而制成了高功率的发光二极管. 目前生长GaN比较成功的方法是使用有机气体氮源的金属有机物化学汽相淀积.但它所生成的是纤锌矿(六角)结构,而且是生长在蓝宝石衬底上.生长温度也高达1000℃.要使得GaN材料有可能实用,需要采用低温生长的分子束外延(MBE)技术,并在GaAs,Si等半导体衬底上生长出闪锌矿(立方)结构的GaN薄膜.这样才有可能最终解决p型… |
| 关 键 词： | 分子束外延 氮化镓 薄膜 |
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