淀积在n-GaAs单晶上的ZnSe:Mn薄膜的低阈值DC电致发光

在Al/ZnSe:Mn/n-GaAs系统中观察到了阈值电压低于60V的明亮的DC电致发光(EL)。指出在n-GaAs和ZnSe之间的异质结接触起高效电子注入器的作用,它大大降低了电致发光的阈值电压。可以存在两种电子注入过程。一种是在异质结位垒上从n-GaAs往ZnSe注入电子,另一种是来自异质结界面态的内场电子发射。依赖于电压的亮度和发射光谱之实验结果暗示发射机理是以高能电子和Mn中心的碰撞造成的直接碰撞激发为基础的。通过分析亮度波形和它随注入数量的变化可以弄清这些现象。