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| HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定 | |
| 引用本文： | 何元金,辛明瑞,张天保. HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定[J]. 中国物理 C, 1994, 18(8): 752-756 |
| 作者姓名： | 何元金 辛明瑞 张天保 |
| 作者单位： | 清华大学现代应用物理系，中国陕西骊山微电子公司，中国科学院高能物理研究所应用部 |
| 基金项目： | 中国科学院核分析技术开放研究实验室开放课题 |
| 摘 要： | 提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τb为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τd为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论. |
| 关 键 词： | 正电子湮没 碲镉汞半导体缺陷 汞空位 |
Measurement of Characteristic Positron Annihilation Lifetime in HgCdTe |
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| He Yuanjin. Measurement of Characteristic Positron Annihilation Lifetime in HgCdTe[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 1994, 18(8): 752-756 | |
| Authors: | He Yuanjin |
| Abstract: | |
| Keywords: | positron annihilation defects in mercury cadmium telluride semiconductors mercury vacancies |
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