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基于mcnp5程序研究60Co γ射线的剂量增强效应
作者姓名:吴正新  何承发  陆妩  艾尔肯.阿不列木  艾克拜尔.吐合提  刘南君
作者单位:[1]新疆大学物理科学与技术学院,新疆乌鲁木齐830046 [2]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011 [3]新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011
摘    要:用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时60Coγ射线入射产生的剂量梯度分布,并且通过mcnp5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,进而计算了剂量增强因子.计算结果表明:界面附近硅一侧具有明显的剂量梯度分布,界面剂量增强因子为1.76.

关 键 词:蒙特卡罗方法  剂量增强因子  体元  60Coγ射线
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