| 退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响 |
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| 引用本文： | 宋银,王志光,魏孔芳,张崇宏,刘纯宝,臧航,周丽宏.退火对He注入及随后208 Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响[J].物理学报,2007,56(1). |
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| 作者姓名： | 宋银 王志光 魏孔芳 张崇宏 刘纯宝 臧航 周丽宏 |
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| 基金项目： | 甘肃省自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院近代物所所长基金 |
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| 摘 要： | 利用高能离子研究了110 keV的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试结果可以清楚地看到在375 nm,390 nm,413 nm和450 nm出现了强烈的发光峰.经过600 K退火2 h后测试结果显示,390 nm发光峰增强剧烈,而别的发光峰显示不明显.在900 K退火条件下,390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰,到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失,而510 nm的发光峰相对增强.从辐照样品的FTIR谱中看到,波数在460-510 cm-1间的吸收是振动模式,经过离子辐照后,吸收带展宽,随着辐照量的增大,Al2O3振动吸收峰消失,说明Al2O3振动模式被完全破坏.1000-1300cm-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式,辐照后吸收带向高波数方向移动.退火后的FTIR谱变化不大.
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| 关 键 词： | 重离子辐照 PL谱 FTIR谱 |
Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation |
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| Song Yin,Wang Zhi-Guang,Wei Kong-Fang,Zhang Chong-Hong,Liu Chun-Bao,Zang Hang,Zhou Li-Hong.Effects of annealing on the photoluminescence of He ion implanted sapphire after 230-MeV Pb ion irradiation[J].Acta Physica Sinica,2007,56(1). |
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| Authors: | Song Yin Wang Zhi-Guang Wei Kong-Fang Zhang Chong-Hong Liu Chun-Bao Zang Hang Zhou Li-Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al2O3 |
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