| 功率快恢复二极管反偏ESD机理分析 |
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| 引用本文： | 魏峰,吴郁,周新田,周东海,吴立成,贾云鹏,胡冬青,金锐,刘钺杨.功率快恢复二极管反偏ESD机理分析[J].半导体技术,2013(8):629-634. |
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| 作者姓名： | 魏峰 吴郁 周新田 周东海 吴立成 贾云鹏 胡冬青 金锐 刘钺杨 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院;国网智能院电工新材料及微电子研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(2011110312001);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006) |
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| 摘 要： | 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
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| 关 键 词： | 静电放电(ESD) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场强 背景掺杂 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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