| 溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质 |
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| 引用本文： | 杨莺歌,马洪磊,薛成山,庄惠照,郝晓涛,马瑾.溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质[J].半导体学报,2003,24(4):387-390. |
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| 作者姓名： | 杨莺歌 马洪磊 薛成山 庄惠照 郝晓涛 马瑾 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院 济南250100
(杨莺歌，马洪磊，庄惠照，郝晓涛)，山东师范大学半导体研究所 济南250014
(薛成山)，山东大学物理与微电子学院 济南250100(马瑾) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :67710 0 6)~~ |
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| 摘 要： | 报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.
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| 关 键 词： | GaN薄膜 GaAs(110)衬底 光致发光 溅射后退火反应法 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)04-0387-04 |
| 修稿时间： | 2002年6月9日 |
Preparation and Properties of GaN Films on GaAs (110) Substrates |
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| Abstract: | High quality GaN films are prepared by sputtering post annealing reaction technique on GaAs (110) substrates.Measurement results by XRD,XPS,and TEM indicate that the polycrystalline crystal GaN with hexagonal structure is successfully grown.An intense room temperature photoluminescence peak at 368nm of the films is observed. |
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| Keywords: | GaN films GaAs (110) substrates photoluminescence sputtering post annealing reaction technique |
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