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| 退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响 | |
| 作者单位： | ;1.贵州大学大数据与信息工程学院 |
| 摘 要： | 采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出Mg B_2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对Mg B_2薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的Mg B_2薄膜超导转变温度T_(c(onset))为39.5K,超导转变宽度ΔT_c为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高。证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高Mg B_2的超导性能。 |
| 关 键 词： | MgB2 化学气相沉积 超导薄膜 退火工艺 |
Effect of annealing process on superconducting magnesium diboride films prepared by chemical vapor deposition |
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