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| Nb/Al-AlO_x/Nb超导隧道结的制备 | |
| 作者单位： | ;1.南京大学超导电子学研究所 |
| 摘 要： | 在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-Al Ox/Nb超导隧道结。在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6k A/cm2,漏电流约为50μA。制结工艺流程的重复性较好。 |
| 关 键 词： | Nb/Al-AlOx/Nb 超导隧道结 制备工艺 |
Fabrication of Nb/Al-AlO_x/Nb superconducting tunnel junctions |
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