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| 磁控溅射法结合异位退火制备MgB_2超导薄膜的研究 | |
| 作者单位： | ;1.贵州大学大数据与信息工程学院 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB_2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB_2薄膜超导特性的影响。通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB_2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响。研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB_2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB_2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105A/cm2。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 MgB2 超导薄膜 退火 |
Study on the fabrication of MgB_2 superconducting films by magnetron sputtering and annealing |
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