| Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 |
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| 引用本文： | 于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性[J].半导体学报,2001,22(1):53-56. |
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| 作者姓名： | 于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 |
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| 作者单位： | 于卓（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;李代宗（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;成步文（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;黄昌俊（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;雷震霖（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;余金中（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083）;王启明（中国科学院半导体研究所
集成光电子国家重点联合实验室，北京 100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.69876260)． |
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| 摘 要： | 研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变补偿情况也不尽相同 .利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析 ,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时 Ge、C的峰值浓度比 NGe/ NC应满足一定的取值范围 .通过制备不同 C组分的样品对上述结论进行了验证 ,得出的结果与理论预言基本相符
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| 关 键 词： | Si1-x-yGexCy材料 固相外延 应变补偿 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)01-0053-04 |
| 修稿时间： | 1999年8月25日 |
Strain Compensation Effects of Si1-x-yGexCy Alloys |
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| YU Zhuo.Strain Compensation Effects of Si1-x-yGexCy Alloys[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(1):53-56. |
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| Authors: | YU Zhuo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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