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富铅配料合成PbI2多晶及其熔体分层研究
引用本文:朱兴华,赵北君,朱世富,金应荣,向安平,魏昭荣. 富铅配料合成PbI2多晶及其熔体分层研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 494-497
作者姓名:朱兴华  赵北君  朱世富  金应荣  向安平  魏昭荣
作者单位:成都信息工程学院光电技术系,成都,610225;四川大学材料科学系,成都,610064;西华大学材料科学与工程学院,成都,610039
摘    要:富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离.根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用.以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为φ15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体.

关 键 词:富铅配料  多晶合成  熔体分层  晶体生长
文章编号:1000-985X(2007)03-0494-04
修稿时间:2006-11-30

Synthesis of PbI2 Polycrystal with Excessive Pb and Its Immiscibility of Melt
ZHU Xing-hua,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,JIN Ying-rong,XIANG An-ping,WEI Zhao-rong. Synthesis of PbI2 Polycrystal with Excessive Pb and Its Immiscibility of Melt[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(3): 494-497
Authors:ZHU Xing-hua  ZHAO Bei-jun  ZHU Shi-fu  JIN Ying-rong  XIANG An-ping  WEI Zhao-rong
Affiliation:1. Department of Optics and Electronics, Chengdu University of Information Technology, Chengdu 610225, China; 2. Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China; 3. Schoot of Materials Science and Engineering, Xihua University, Chengdu 610039, China
Abstract:
Keywords:excessive Pb  polycrystal synthesis  immiscibility of melt  crystal growth
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