| 溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光 |
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| 引用本文： | 张安邦,马向阳,金璐,杨德仁.溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光[J].发光学报,2011,32(5):471-475. |
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| 作者姓名： | 张安邦 马向阳 金璐 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学 硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金，浙江省自然科学基金杰出青年团队项目，国家"973"计划 |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO2薄膜,从而形成TiO2/p+-Si异质结.研究表明:要使TiO2/p+-Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜.此外,TiO2的薄膜...
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| 关 键 词： | 二氧化钛 硅 异质结 电致发光 |
| 收稿时间： | 2010-11-28 |
Electroluminescence of Heterostructures Formed by p~+-Si and TiO_2 Films Derived from Oxidation of Sputtered Ti Films |
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| ZHANG An-bang,MA Xiang-yang,JIN Lu,YANG De-ren.Electroluminescence of Heterostructures Formed by p~+-Si and TiO_2 Films Derived from Oxidation of Sputtered Ti Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2011,32(5):471-475. |
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| Authors: | ZHANG An-bang MA Xiang-yang JIN Lu YANG De-ren |
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| Institution: | State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Abstract: | TiO_2/p~+-Si heterostructures were formed by thermal oxidation of the sputtered Ti films on heavily boron-doped silicon(p~+-Si)substrates.In order to make the TiO_2/p~+-Si heterostructures more suitable for electroluminescence,the TiO_2 films should be anastate in crystal structure.This required the precursor Ti films possess small crystal grains.Such Ti films could be sputtered at relatively low sputtering power.Moreover, the thickness of TiO_2 films should be controlled in a desirable range.The related me... |
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| Keywords: | TiO_2 Si heterostructure electroluminescence |
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