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棱柱型封装Cd的硅纳米管的密度泛函理论研究
引用本文:侯茹,郭平,李英,张继良,陈永庄,任兆玉. 棱柱型封装Cd的硅纳米管的密度泛函理论研究[J]. 原子与分子物理学报, 2011, 28(5): 405-409
作者姓名:侯茹  郭平  李英  张继良  陈永庄  任兆玉
作者单位:陕西省商洛学院物理与电子信息工程系,西北大学物理系,商洛学院物理与电子信息工程系,商洛学院量子光学与量子信息研究所,商洛学院量子光学与量子信息研究所,西北大学
基金项目:国家自然科学青年基金项目(10904123);陕西省教育厅自然科学基金项且(09JK417)
摘    要:运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封装Cd硅纳米管的几何结构和电荷布局、能级和电偶极矩。计算结果表明,四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管的最低能结构都是自旋单重态,四棱柱和五棱柱型Cd硅纳米管畸变比较严重,已经失去管状结构,由于四棱柱型Cd硅纳米管的原子平均结合能最大,它是这四种棱柱型Cd硅纳米管中热力学稳定性最强的。这四种棱柱型Cd硅纳米管的电荷都是由Cd原子转向Si原子的,Cd失去电子,是电荷的施体;Si原子得到电荷,是电荷的受体,且Cd原子与硅原子之间以共价键结合。五棱柱Cd硅纳米管HOMO-LUMO Gap最大,说明它的化学活性最强,而四棱柱型Cd硅纳米管的HOMO-LUMO能隙最小,说明它的化学稳定性最强,不易和其他物质发生化学反应。四棱柱型Cd硅纳米管的总电偶极距为零,说明它的正、负电荷中心重合,该结构是非极性的。五棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管是极性的,且五棱柱Cd硅纳米管的极性最强。

关 键 词:密度泛函理论;棱柱型封装Cd硅纳米管;几何结构;HOMO-LUMO能隙;电偶极矩

A density functional investigation of prismy silicon nanotube by cadmium atoms encapsulation
Hou Ru,Guoping,Li Ying,ZHang Ji-Liang,CHen YongZhuang and Ren Zhaoyu. A density functional investigation of prismy silicon nanotube by cadmium atoms encapsulation[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2011, 28(5): 405-409
Authors:Hou Ru  Guoping  Li Ying  ZHang Ji-Liang  CHen YongZhuang  Ren Zhaoyu
Affiliation:Physics Department, ShangLuo University,Physics Department, Northwest University,The Department of Physics & Electronics and Information Engineering, ShangLuo University,Institute of Quantum Optics and Quantum Information Science, ShangLuo University,Institute of Quantum Optics and Quantum Information Science, ShangLuo University,Northwest University
Abstract:
Keywords:
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