| 生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 |
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| 引用本文： | 缪国庆,金亿鑫,蒋红,周天明,李树玮,元光,宋航. 生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响[J]. 发光学报, 2002, 23(5): 465-468 |
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| 作者姓名： | 缪国庆 金亿鑫 蒋红 周天明 李树玮 元光 宋航 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，5013202， |
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| 摘 要： | 利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。
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| 关 键 词： | In0.53Ga0.47As／InP LPMOCVD 铟镓砷化合物 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 半导体材料 磷化铟衬底 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)05-0465-04 |
| 修稿时间： | 2002-04-12 |
Effect of Growth Temperature on Properties of In0.53Ga0.47As/InP Grown by LPMOCVD |
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| MIAO Guo qing,JIN Yi xin,JIANG Hong,ZHOU Tian ming,LI Shu wei,YUAN Guang,SONG Hang. Effect of Growth Temperature on Properties of In0.53Ga0.47As/InP Grown by LPMOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002, 23(5): 465-468 |
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| Authors: | MIAO Guo qing JIN Yi xin JIANG Hong ZHOU Tian ming LI Shu wei YUAN Guang SONG Hang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs growth temperature LPMOCVD |
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