| 亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述 |
| |
| 引用本文： | 于春利,杨林安,郝跃. 亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述[J]. 半导体学报, 2004, 25(9): 1084-1090 |
| |
| 作者姓名： | 于春利 杨林安 郝跃 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(于春利，杨林安)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(郝跃) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 0 60 0 6)~~ |
| |
| 摘 要： | 建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的L DD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I- V特性基础上,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度,模拟结果与实验数据有很好的一致性.
|
| 关 键 词： | 轻掺杂漏MOSFET 衬底电流 特征长度 最大横向电场 |
An Improved Description of Characteristics Length in Substrate Current Model for Submicron and Deep-Submicron LDD MOSFET's |
| |
| Yu Chunli,Yang Lin'an and Hao Yue. An Improved Description of Characteristics Length in Substrate Current Model for Submicron and Deep-Submicron LDD MOSFET's[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(9): 1084-1090 |
| |
| Authors: | Yu Chunli Yang Lin'an Hao Yue |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LDD MOSFET substra te current characteristics length maximum lateral electric field |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
