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晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究
引用本文:李皎明,余岳辉,白铁城,彭昭廉.晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究[J].微纳电子技术,2001,38(2):52-55.
作者姓名:李皎明  余岳辉  白铁城  彭昭廉
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升

关 键 词:晶闸管  结温  功率脉冲  热模型
文章编号:1001-5507(2001)02-0052-04
修稿时间:2001年1月8日

Research of thyristor's transient thermal impedance and junction temperature rise
LI Jiao ming,YU Yue hui,BAI Tei cheng,PENG Zhao lian.Research of thyristor's transient thermal impedance and junction temperature rise[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(2):52-55.
Authors:LI Jiao ming  YU Yue hui  BAI Tei cheng  PENG Zhao lian
Abstract:This paper expatiate on thyristors transient thermal impedance,while thyristor conducts various power pulse,we can calculate its transient thermal impedance by various method,and then ascertain junction temperature rise,compare its theory,precision and application range.Especially when the power pulse is very short with arbitrary shape and variable period,a new transient thermal impedance calculation model can accurately analysis thyristors thermal characteristic,calculate maximum junction temperature rise.
Keywords:thyristor  junction temperature  power pulse  thermal model
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