| 反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较 |
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| 引用本文： | 孙静,康琳,刘希,赵少奇,吉争鸣,吴培亨,郝西萍. 反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较[J]. 低温物理学报, 2006, 28(3): 224-227 |
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| 作者姓名： | 孙静 康琳 刘希 赵少奇 吉争鸣 吴培亨 郝西萍 |
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| 作者单位： | 南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093;南京大学电子系超导电子学研究所,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀RIE 离子刻蚀 SEM成像 |
| 收稿时间： | 2005-11-11 |
| 修稿时间： | 2005-12-09 |
THE RESEARCH OF REACTION ION ETCHING AND ION ETCHING METHODS |
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| Sun Jing,Kang Lin,Liu Xi,ZHao SHao-Qi,Ji ZHeng-Ming,Wu Pei-Heng,Hao Xi-Ping. THE RESEARCH OF REACTION ION ETCHING AND ION ETCHING METHODS[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2006, 28(3): 224-227 |
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| Authors: | Sun Jing Kang Lin Liu Xi ZHao SHao-Qi Ji ZHeng-Ming Wu Pei-Heng Hao Xi-Ping |
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| Abstract: | The etching method is a key process during the fabrication of all-NbN superconductor tunnel junctions. In order to make high quality junctions we have done some researches on reaction ion etching(RIE) method and ion etching method. We used three different processes to do the etching on NbN thin film and observed different SEM pictures of the transverse sections. The result shows that the situation of the side of the NbN miro belt is related to the different laying direction of the samples to the ion source. While the result of RIE shows the consistence and the gradient of the side of NbN is quite soft. |
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| Keywords: | reaction ion etching(RIE) ion etching SEM |
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