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| 单壁碳纳米管薄膜光电器件研究 | |
| 引用本文： | 谢文彬,朱永,龚天诚,陈俞霖,张洁.单壁碳纳米管薄膜光电器件研究[J].光谱学与光谱分析,2014,35(1):272. |
| 作者姓名： | 谢文彬 朱永 龚天诚 陈俞霖 张洁 |
| 作者单位： | 谢文彬:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044 朱永:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044 龚天诚:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044 陈俞霖:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044 张洁:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61376121), 中央高校面上项目(106112013CDJZR120008, 106112013CDJZR120003), 中央高校重点项目(106112013CDJZR125502)资助 |
| 摘 要： | 制备了单壁碳纳米管薄膜光电器件, 在偏压和激光器照射条件下可产生净光电流。分别研究了偏置电压、激光功率、照射位置对净光电流的影响。实验表明, 激光照射薄膜中点, 净光电流随着偏压的增大而增大, 随激光功率的增大而趋于饱和, 偏压为0.2 V, 激光功率为22.7 mW时, 净光电流达到0.24 μA;无偏压, 激光照射薄膜不同位置时, 净光电流值关于器件中心对称分布, 照射两端点输出最大光电流, 照射中点输出趋于“0”。经分析, 在偏压和激光照射薄膜中心位置的条件下, 器件因内光电效应可产生净光电流;在无偏压和激光照射的条件下, 因光热电效应可产生净光电流, 并建立了温度模型, 根据单壁碳纳米管的热电势特性推导出了净光电流与光照位置的关系, 其符合实验结果;内光电和光热电效应是光电流产生、变化的原因, 在偏压和激光照射的一般条件下, 净光电流应是两种效应的叠加结果。器件所具有的光电特性使其在光伏器件、光传感器有应用的潜力。 |
| 关 键 词： | 单壁碳纳米管 光电器件 内光电效应 光热电效应 |
| 收稿时间： | 2013/12/22 |
Study on Single-Walled Carbon Nanotube Thin Film Photoelectric Device |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Single-walled carbon nanotube Photoelectric device Internal photoelectric effect Photo-thermoelectric effect |