|
|||||
|
|
| 石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅴ)——高氯酸对锂和锗的干扰 | |
| 引用本文： | 郑衍生,张大雷.石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅴ)——高氯酸对锂和锗的干扰[J].高等学校化学学报,1988,9(12):1222. |
| 作者姓名： | 郑衍生 张大雷 |
| 作者单位： | 吉林大学化学系 |
| 摘 要： | 本文详细地研究了HClO4对Li和Ge的干扰.HClO4对Li原子吸收信号有明显的抑制作用,干扰的主要原因是气相中形成LiCl。当预加热温度达2000℃时,残留HClO4干扰可消除。在HClO4分解之前加入NH4NO3,可消除其干扰。HClO4对Ge有增感作用,并与灰化温度有密切关系。500℃以前HClO4增感效应随温度升高变化较小,高于500℃增感效应明显增加。 |
| 关 键 词： | 石墨炉原子化器 锂锗 高氯酸干扰 |
| 收稿时间： | 1987-05-13 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《高等学校化学学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《高等学校化学学报》下载免费的PDF全文 | |