石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅴ)——高氯酸对锂和锗的干扰 |
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引用本文: | 郑衍生,张大雷.石墨炉原子化器中原子化过程的研究(Ⅴ)——高氯酸对锂和锗的干扰[J].高等学校化学学报,1988,9(12):1222. |
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作者姓名: | 郑衍生 张大雷 |
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作者单位: | 吉林大学化学系 |
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摘 要: | 本文详细地研究了HClO4对Li和Ge的干扰.HClO4对Li原子吸收信号有明显的抑制作用,干扰的主要原因是气相中形成LiCl。当预加热温度达2000℃时,残留HClO4干扰可消除。在HClO4分解之前加入NH4NO3,可消除其干扰。HClO4对Ge有增感作用,并与灰化温度有密切关系。500℃以前HClO4增感效应随温度升高变化较小,高于500℃增感效应明显增加。
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关 键 词: | 石墨炉原子化器 锂锗 高氯酸干扰 |
收稿时间: | 1987-05-13 |
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