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450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化
引用本文:杜维川,康俊杰,李弋,谭昊,周坤,胡耀,张亮,王昭,郭林辉,高松信,武德勇,唐淳. 450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化[J]. 光学学报, 2019, 39(6): 204-207
作者姓名:杜维川  康俊杰  李弋  谭昊  周坤  胡耀  张亮  王昭  郭林辉  高松信  武德勇  唐淳
作者单位:中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳621900
摘    要:分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A^-1,并在3 A的连续工作电流下,获得了2.6 W的高功率输出。

关 键 词:激光器  半导体激光器  GAN  腔面反射率  空间烧孔

Optimization of Facet Reflectivity of 450-nm GaN-Based Semiconductor Lasers
Du Weichuan,Kang Junjie,Li Yi,TanHao,Zhou Kun,HuYao,Zhang Liang,Wang Zhao,Guo Linhui,Gao Songxin,Wu Deyong,Tang Chun. Optimization of Facet Reflectivity of 450-nm GaN-Based Semiconductor Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 2019, 39(6): 204-207
Authors:Du Weichuan  Kang Junjie  Li Yi  TanHao  Zhou Kun  HuYao  Zhang Liang  Wang Zhao  Guo Linhui  Gao Songxin  Wu Deyong  Tang Chun
Affiliation:(Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang,Sichuan 621900,China;The Key Laboratory of Science and Technology on High Energy Laser,China Academy of Engineering Physics,Mianyang,Sichuan 621900,China)
Abstract:Du Weichuan;Kang Junjie;Li Yi;TanHao;Zhou Kun;HuYao;Zhang Liang;Wang Zhao;Guo Linhui;Gao Songxin;Wu Deyong;Tang Chun(Institute of Applied Electronics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang,Sichuan 621900,China;The Key Laboratory of Science and Technology on High Energy Laser,China Academy of Engineering Physics,Mianyang,Sichuan 621900,China)
Keywords:lasers  semiconductor lasers  GaN  facet reflectivity  longitude spatial hole burning
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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