| 基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真 |
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| 引用本文： | 林虹宇,谢浩,王洋,陆宏波,孙艳,胡淑红,陈鑫,戴宁.基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真[J].光学学报,2019,39(5):42-48. |
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| 作者姓名： | 林虹宇 谢浩 王洋 陆宏波 孙艳 胡淑红 陈鑫 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 上海市科委科技项目;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度),并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40nm、掺杂浓度为2×10^18 cm^-3时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60nm、掺杂浓度为4×10^17 cm^-3时,器件的开关比最大。
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| 关 键 词： | 探测器 暗电流 阻挡层 能带图 |
Modeling of InAsSbP Blocking Barrier Grown by Liquid-Phase Epitaxy in InAs-Based Infrared Photodetector |
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| Lin Hongyu,Xie Hao,Wang Yang,Lu Hongbo,Sun Yan,Hu Shuhong,Chen Xin,Dai Ning.Modeling of InAsSbP Blocking Barrier Grown by Liquid-Phase Epitaxy in InAs-Based Infrared Photodetector[J].Acta Optica Sinica,2019,39(5):42-48. |
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| Authors: | Lin Hongyu Xie Hao Wang Yang Lu Hongbo Sun Yan Hu Shuhong Chen Xin Dai Ning |
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| Institution: | (State Key Laboratory of Infra red Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) |
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| Abstract: | Lin Hongyu;Xie Hao;Wang Yang;Lu Hongbo;Sun Yan;Hu Shuhong;Chen Xin;Dai Ning(State Key Laboratory of Infra red Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) |
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| Keywords: | detectors dark current blocking barrier energy band diagram |
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