| SinH/SinH-(n=3～8)的结构和电子亲合能的研究 |
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| 引用本文： | 杨桔材,徐文国,肖文胜.SinH/SinH-(n=3～8)的结构和电子亲合能的研究[J].无机化学学报,2005,21(6):805-809. |
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| 作者姓名： | 杨桔材 徐文国 肖文胜 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学理学院,北京,100081;内蒙古工业大学化学工程学院,呼和浩特,010062
2. 北京理工大学理学院,北京,100081 |
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| 摘 要： | 选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP，B3P86，BLYP，BP86)，在全电子的双ξ加极化加弥散函数基组(DZP )下，对SinH／SinH^-(n=3～8)体系进行研究，获得它们的基态结构和电子亲合能。预测Si3H／Si3H^-,Si4H／Si4H^-,Si5H／Si5H^-,Si6H／Si6H^-，Si7H／Si7H^-和Si8H／Si8H^-的基态结构分别为C2v(^2B2)／C2v(1^A1)氢桥结构，Cs(^2A’)／C(^1A’)，C2v(^2B2)／C2v(^1A1)，C2v(^2B2或^2B1)／C4v(^1A1)，C5v(^2A1)／C5v(^1A1)和C5(^2A‘‘)／C3v(^1A1)。在电子亲合能方面，B3LYP方法预测的电子亲合能是最可靠的，预测Si3H，Si4H，Si5H，Si6H，Si7H和Si8H的电子亲合能分别为2．56，2．59，2．84，2．86，3．19和3．14eV。
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| 关 键 词： | 硅氢化物 分子结构 电子亲合能 密度泛函理论 |
| 文章编号： | 1001-4861(2005)06-0805-05 |
| 收稿时间： | 2004/11/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2005/3/10 0:00:00 |
Structures and Electron Affinities of the Silicon Hydrides SinH/SinH- (n=3～8) |
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| YANG Ju-Cai,XU Wen-Guo and XIAO Wen-Sheng.Structures and Electron Affinities of the Silicon Hydrides SinH/SinH- (n=3～8)[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2005,21(6):805-809. |
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| Authors: | YANG Ju-Cai XU Wen-Guo and XIAO Wen-Sheng |
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| Institution: | School of Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081;School of Chemical Engineering, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010062,School of Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081 and School of Science, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon monohydrides molecular structures electron affinities density functional theory |
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