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| 80MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量 | |
| 引用本文： | 吴靖民,李建平,雷传蘅,刘列夫.80MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量[J].中国物理 C,1987,11(4):433-436. |
| 作者姓名： | 吴靖民 李建平 雷传蘅 刘列夫 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所 |
| 摘 要： | 本实验采用包有慢化体的铟活化探测器测量80MeV电子打铅厚靶后次级中子的产额和角分布. 测得次级中子按各向同性分布, 中子产额为(2.20±0.13)×1012n/s?kW, 与理论计算结果相符. |
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