| SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响 |
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| 引用本文： | 王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏.SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J].发光学报,2005(4). |
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| 作者姓名： | 王小波 刘渝珍 奎热西 董立军 陈大鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院 北京100049
(王小波，刘渝珍)，中国科学院高能物理所 北京100049
(奎热西)，中国科学院微电子研究所 北京100029
(董立军)，中国科学院微电子研究所 北京100029(陈大鹏) |
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| 基金项目： | 中国科学院院长基金特别资助项目(936) |
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| 摘 要： | 低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-S iNx∶H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1~3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的S iH2C l2和NH3气体配比时,所得薄膜表现出不同的荧光属性,荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析,认为不同配比下,生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同,这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。
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| 关 键 词： | 纳米硅镶嵌结构 SiNx膜 光致发光 低压化学气相沉积 |
Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiN_x Films Deposited from the SiH_2Cl_2-NH_3 Reactant Mixture in LPCVD |
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| WANG Xiao-bo,LIU Yu-zhen,KUI Re-xi,DONG Li-jun,CHEN Da-peng.Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiN_x Films Deposited from the SiH_2Cl_2-NH_3 Reactant Mixture in LPCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2005(4). |
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| Authors: | WANG Xiao-bo LIU Yu-zhen KUI Re-xi DONG Li-jun CHEN Da-peng |
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| Institution: | WANG Xiao-bo~1,LIU Yu-zhen~1,KUI Re-xi~2,DONG Li-jun~3,CHEN Da-peng~3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano-silicon microstructure SiN_x film photoluminescence low pressure chemical vapor depo-(sition) (LPCVD) |
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