掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨 |
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引用本文: | 沈岳年,刘文生,刘淑萍,胡瑞生,秦继卫.掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2003,34(1):29-32. |
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作者姓名: | 沈岳年 刘文生 刘淑萍 胡瑞生 秦继卫 |
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作者单位: | 1. 内蒙古大学化学化工学院,内蒙古,呼和浩特,010021 2. 内蒙古大学理工学院,内蒙古,呼和浩特,010021 |
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摘 要: | 以石英管作为衬底材料以SnCl4,SbCl3的混合乙醇溶液作为喷涂液,在600-620℃高温下用化学热喷涂法在石英管表面制作SnO2电热膜,工艺实践表明:30min是最佳喷涂时间,可获得最高功率密度25W/cm^2,喷涂时间过短,SnO2膜过薄而功率小,喷涂时间大于30min,由于“硅扩散”破坏SnO2的能级简并结构,不仅导电性劣化,而且电阻率温度系数逐渐由正变负,导致不能用作电热材料。
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关 键 词: | 电热材料 成膜工艺条件 SnO2电热膜 化学热喷涂 硅扩散 石英管 半导体薄膜 |
文章编号: | 1000-1638(2003)01-0029-04 |
修稿时间: | 2002年4月9日 |
A Study on Doping SnO2 Film as a Electrothermal Material——The Exploration of Technological Condition |
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Abstract: | |
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Keywords: | electrothermal films of SnO_2 chemical heated spray silicon diffusion |
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