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| 直拉硅单晶中的氧沉淀 | |
| 引用本文： | 钱家骏, 崔树范. 直拉硅单晶中的氧沉淀[J]. 物理, 1985, 14(4). |
| 作者姓名： | 钱家骏 崔树范 |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所;(2)中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 目前世界上硅单晶材料中，９０％是用直拉（ＣＺ）方法生长的．在这种方法中，固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应：Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（Ｉ）虽然在一般晶体生长温度（～１４２０℃）下，ＳｉＯ是挥发的，但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里，并通过固液界面进入晶体．通常的ＣＺ硅中含有～１０１８／ｃｍ３的氧（较ＦＺ硅高１－２数量级）．作为硅中的杂质，如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成，那?... |
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