一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路

GaN器件由于其更快的开关速度，比硅器件更容易发生严重的开关振荡，也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰，提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路，并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径，抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真，并搭建实验平台进行实测验证，结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下，证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。