增厚DBR型894nm窄线宽VCSEL |
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引用本文: | 范屹梁,孙玉润,付秋雪,于淑珍,仇伯仓,董建荣.增厚DBR型894nm窄线宽VCSEL[J].半导体技术,2024(5):449-454. |
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作者姓名: | 范屹梁 孙玉润 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 |
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作者单位: | 1. 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室;3. 泉州信息工程学院电子与通信工程学院 |
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摘 要: | 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。
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关 键 词: | 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(DBR) 线宽 |
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