重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性 |
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引用本文: | 杨磊,程佳辉,杨蕾,张泽盛,龚春生,简基康.重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性[J].半导体技术,2024(5):417-424. |
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作者姓名: | 杨磊 程佳辉 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 |
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作者单位: | 1. 广东工业大学物理与光电工程学院 |
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基金项目: | 广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);;北京市科技计划项目(Z231100006023015); |
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摘 要: | 系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al电极可呈现出欧姆接触行为,其比接触电阻率为1.98×10-3Ω·cm2,退火处理后Al电极与SiC在接触界面形成化合物Al4C3,有助于提高接触界面稳定性。在Ni/Al复合体系中,当Ni金属层厚度为50 nm时,其比接触电阻率显著降低至4.013×10-4Ω·cm2。退火后Ni与SiC在接触界面生成的Ni2Si有利于欧姆接触的形成和降低比接触电阻率。研究结果可为开发液相法生长的p型SiC晶片电子器件提供参考。
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关 键 词: | p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法 |
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