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MOS-Transistoren auf inhomogen dotiertem Substrat—Berechnung der Schwellspannung—Optimierung der komplementären Substratkonzentrationen |
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| Authors: | M Kiener |
| Institution: | 1. Institut für Technische Physik/AFIF, ETH-Aussenstation H?nggerberg, 8049, Zürich |
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