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自旋相关的电子隧穿和自旋极化
引用本文:花修坤,李振亚.自旋相关的电子隧穿和自旋极化[J].大学物理,2002,21(4):15-17.
作者姓名:花修坤  李振亚
作者单位:苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (197740 42 )
摘    要:研究了电子的自旋相关的隧穿和极化。在外加磁场的作用下,自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数。当电子的自旋方向与磁场方向相反时,其隧穿概率受到磁场的抑制而变小;反之,当两平行时,电子的了隧穿系数增大。这种差异可以用本中定义的自旋极化率来表示。本对不同磁场下的自旋极化率进行了计算,结果也表明当电子的动能较小,这种自旋极化的效应越显。

关 键 词:极化率  量子力学  自旋相关  电子隧穿  自旋极化
文章编号:1000-0712(2002)04-0015-03
修稿时间:2000年12月5日

Spin-dependent tunneling and susceptibility of electron
HUA Xiu kun,LI Zhen ya.Spin-dependent tunneling and susceptibility of electron[J].College Physics,2002,21(4):15-17.
Authors:HUA Xiu kun  LI Zhen ya
Abstract:The electron spin dependent tunneling and susceptibility are studied.The tunneling coefficients of electrons with spin up and spin down are different when a magnetic field is applied.Magnetic field suppresses the tunneling probability of the electrons whose spin direction is against the magnetic field,yet increases the tunneling coefficient of the electron whose spin direction parallels the applied magnetic field. It is shown that the spin susceptibility is higher for the electrons with lower kinetic energy.
Keywords:spin  tunneling  susceptibility
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