取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列的制备 |
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引用本文: | 李梦轲,陆梅,王成伟,力虎林.取向碳纳米管/硅纳米线复合阵列的制备[J].中国科学B辑,2002,32(3):204-209. |
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作者姓名: | 李梦轲 陆梅 王成伟 力虎林 |
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作者单位: | 兰州大学化学系,兰州,730000 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号:69890220,69871013) |
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摘 要: | 在阳极氧化铝模板(AAO)的取向微孔内, 利用化学气相沉积(CVD) 技术首先制备了两端开口高度取向的碳纳米管阵列, 再在碳纳米管中间的孔洞内沉积硅纳米线, 成功制备了碳纳米管/硅纳米线(CNTs/SiNWs)核鞘复合阵列结构. 用SEM, TEM, XRD等仪器分析了CNTs/SiNWs核鞘复合阵列和沉积在碳纳米管孔洞内的硅纳米线的生长特性和晶体结构, 利用I-V关系和Fowler-Nordheim方程研究了其场发射(FE)特性, 用荧光光谱分析仪分析了复合阵列的荧光(PL)特性. 证明了模板法制备的CNTs/SiNWs核鞘复合阵列结构可用来制作具有金属/半导体(M/S)特性的纳米PN结, 该复合阵列结构也使SiNWs包覆在CNTs惰性鞘内, 可防止SiNWs在空气中的进一步氧化. 制备出的CNTs/SiNWs核鞘复合阵列结构生长方向高度有序, 直径和长度易于控制, 极少产生其他制备方法中出现的纳米结构弯曲和相互缠绕现象.
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关 键 词: | 硅纳米线 复合结构阵列 化学气相沉积 阳极氧化铝模板 碳纳米管 |
收稿时间: | 2001-11-13 |
修稿时间: | 2001年11月13 |
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