| 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究 |
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| 作者姓名： | 徐晓轩 林海波 武中臣 李洪波 俞钢 朱箭 张存洲 张光寅 |
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| 作者单位： | 1.南开大学, 光子学中心 天津,300071;2.南开大学, 光电子器件与薄膜研究所 天津,300071;3.美国Dupont公司, 南开大学讲座教授 天津,300071 |
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| 基金项目： | 教育部振兴计划资助项目 |
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| 摘 要： | 利用共焦显微喇曼光谱仪,对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化。晶化后薄膜的喇曼光谱表明,薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构,同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动,可以计算出晶化后微晶硅晶粒尺寸为5nm左右。在对晶化后的薄膜进行深度剖析喇曼光谱研究中,对光谱进行分峰拟合,根据晶化峰的积分强度和非晶峰的积分强度的深度剖析曲线,可以看出晶化程度最高的部分位于薄膜中央,也就是在薄膜上层和接近衬底底部材料结构仍是非晶硅结构,而位于薄膜中间的材料结构转变为微晶硅结构。
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| 关 键 词： | 纳米微晶硅 共焦喇曼光谱仪 深度剖析 激光晶化 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)04-0426-05 |
| 收稿时间： | 2002-08-11 |
| 修稿时间： | 2002-10-29 |
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