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| 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究 | |
| 引用本文： | 徐晓轩,林海波,武中臣,李洪波,俞钢,朱箭,张存洲,张光寅. 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究[J]. 发光学报, 2003, 24(4): 426-430 |
| 作者姓名： | 徐晓轩 林海波 武中臣 李洪波 俞钢 朱箭 张存洲 张光寅 |
| 作者单位： | 1. 南开大学,光子学中心 2. 南开大学,光电子器件与薄膜研究所 3. 美国Dupont公司,南开大学讲座教授,天津,300071 |
| 基金项目： | 教育部振兴计划资助项目 |
| 摘 要： | 利用共焦显微喇曼光谱仪，对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化。晶化后薄膜的喇曼光谱表明。薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构，同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动。可以计算出晶化后微晶硅晶粒尺寸为5nm左右。在对晶化后的薄膜进行深度剖析喇曼光谱研究中，对光谱进行分峰拟合，根据晶化峰的积分强度和非晶峰的积分强度的深度剖析曲线。可以看出晶化程度最高的部分位于薄膜中央，也就是在薄膜上层和接近衬底底部材料结构仍是非晶硅结构。而位于薄膜中间的材料结构转变为微晶硅结构。 |
| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 激光晶化 深度剖析 喇曼光谱 共焦显微喇曼光谱仪 PECVD 退火晶化 制备 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)04-0426-05 |
Raman Depth Profile Research of Laser Crystallized a:Si Film |
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| Abstract: | |
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