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N型GaAs中位错与空位之间的相互关系
引用本文:李德利.N型GaAs中位错与空位之间的相互关系[J].微电子学,1972(5).
作者姓名:李德利
摘    要:引言重掺杂 GaAs 片有多种应用,如外延生长的衬底或制造电发光器件。材料的结晶质量、它的掺杂浓度、掺杂剂的性质以及杂质或缺陷的存在对其应用是非常重要的,例如,就汽相生长外延而论,在外延层和其衬底之间交界面的电的和光的特性。

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