|
|||||
|
|
| 分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性 | |
| 引用本文： | 邓容平,蒋维栋,孙恒慧.分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性[J].物理学报,1989(8). |
| 作者姓名： | 邓容平 蒋维栋 孙恒慧 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系，复旦大学物理系，复旦大学物理系 新疆大学物理系 |
| 摘 要： | 本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10~(10)cm~(-2)。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |